2.6 Silicon Carbide diodes

SiC 는 전력전자의 새로운 물질이다. 이것의 물리적인 특성은 Si 와 GaAS보다 뛰어나다. 예를들어 SiC쇼트키 다이오드는 초저전력 에너지 손실과 높은 신용성을 가진다. 이러한것들은 아래의 특성을 가진다.

회복시간이 없다.

초고속 스위칭 특성

스위칭 특성에 온도영향이 없다.

낮은 회복 시간 특성을 가지며 낮은회복시간 전류 그러므로 에너지소비를 줄일수 있는 태양열 에너지 변환,전원,에어콘,용접장비등에 많이 사용된다. SiC 전력장치들은 효율을 증가할수 있게 해주며 사이즈감소의 문제를 해결, 높은 스위칭 주파수, 전자기 간섭의에 의한 신용성을 증가.